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　　美光(guāng)公司在华销售的产品(pǐn)未通过网络安全审查

　　据网信办消息，日(rì)前，网络安全审查办公(gōng)室依法对美(měi)光(guāng)公司(sī)在华销(xiāo)售产品(pǐn)进(jìn)行了(le)网络安(ān)全审查(chá)。

　　审查发现，美光公司产(chǎn)品存在(zài)较严重网络安全问题隐患(huàn)，对我国关键信息基础设施供应链造成重大(dà)安(ān)全(quán)风险，影响我国国家安全。为此，网络安全审查办(bàn)公室依法作出不予通过网(wǎng)络安全审查的结论。按照《网络安全法》等(děng)法律法规(guī)，我国内(nèi)关键(jiàn)信息(xī)基础设(shè)施的运营者应停止采(cǎi)购美光(guāng)公司产(chǎn)品。

　　此次对美光公(gōng)司产品进(jìn)行(xíng)网络安全审(shěn)查，目的是防范产品网络安全问(wèn)题危害国家关键信(xìn)息基础(chǔ)设施安全，是维护国家(jiā)安全的必要措施。中国(guó)坚(jiān)定推进高水平(píng)对外开放，只要遵守(shǒu)中国法律法规要(yào)求(qiú)，欢迎各国企(qǐ)业、各类(lèi)平(píng)台产品服务进入中国市(shì)场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日(rì)，中(zhōng)国网信网发文称，为保障关键信息基(jī)础设施供应链安全，防范产品问题隐(yǐn)患造成网络安全(quán)风险，维护国(guó)家安全，依(yī)据《中(zhōng)华人民共和国国家安全法》《中(zhōng)华人民共(gòng)和国(guó)网络安(ān)全法》，网络安(ān)全(quán)审(shěn)查(chá)办公室按照(zhào)《网络安(ān)全审查(chá)办法》，对美光(guāng)公(gōng)司（Micron）在华销售(shòu)的产(chǎn)品实施网络安(ā我国雨带移动规律及其影响，我国雨带移动规律口诀n)全审(shěn)查。

　　美光是(shì)美国的(de)存(cún)储芯片行(xíng)业龙头(tóu)，也是全球存储(chǔ)芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来自中国市场收入从此(cǐ)前高峰57％降(jiàng)至2022年(nián)约11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电(diàn)子(zi)、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中(zhōng)，江波龙、佰维存储等(děng)公司(sī)披(pī)露过美光等(děng)国际存储厂商为公司(sī)供应商(shāng)。

　　美光在江波龙采购占比已经显(xiǎn)著下降，至少(shǎo)已经不是(shì)主(zhǔ)要(yào)大(dà)供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一(yī)大存储晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江(jiāng)波龙第一(yī)大、第(dì)二大(dà)和(hé)第(dì)三大供应商采购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙(lóng)已经在存(cún)储(chǔ)产业链(liàn)上(shàng)下(xià)游建立国内外广(guǎng)泛(fàn)合作。2022年(nián)年报显示，江(jiāng)波龙与三星、美(měi)光、西(xī)部数据等主要存(cún)储晶(jīng)圆(yuán)原厂签署(shǔ)了长期合约，确保存储晶圆供应的稳定(dìng)性，巩固(gù)公司在下游(yóu)市场的供应(yīng)优势，公司也与国(guó)内国(guó)产存(cún)储(chǔ)晶圆原厂武汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫(xīn)保持良(liáng)好的(de)合作(zuò)。

　　有(yǒu)券商此(cǐ)前就分析，如(rú)果(guǒ)美光(guāng)在中国区销售受到限制，或将导致下游(yóu)客户转而采购国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

　　分析(x我国雨带移动规律及其影响，我国雨带移动规律口诀ī)称(chēng)，长存、长鑫的上游设备厂或从中受(shòu)益。存储(chǔ)器(qì)的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变(biàn)使刻(kè)蚀和(hé)薄(báo)膜(mó)成(chéng)为(wèi)最关键、最(zuì)大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能(néng)会更深的孔或(huò)者沟(gōu)槽(cáo)，催生(shēng)更多设备需求。据(jù)东京(jīng)电(diàn)子(zi)披露，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合(hé)计为75％。自长江存储被加入(rù)美国限制名单，设备(bèi)国(guó)产化进(jìn)程加速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等相关公司份额提升，以及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入增长。

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