大家好，来看(kàn)一则突发消息(xī)。

　　美光(guāng)公司在华(huá)销售的产品未通过(guò)网络安全审查

　　据网信办消息，日(rì)前(qián)，网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)办公室依法对美光公司(sī)在华销售产品(pǐn)进(jìn)行了网络安全(quán)审查。

　　审查发现，美光公司产品(pǐn)存(cún)在较严(yán)重(zhòng)网络安全问(wèn)题隐患，对我(wǒ)国(guó)关键信息基(jī)础(chǔ)设施供应(yīng)链造成重大安(ān)全(quán)风(fēng)险，影响我国国家安全。为(wèi)此，网络安全审查办公室依法(fǎ)作出不予通(tōng)过网络(luò)安(ān)全审查的结论。按照《网络(luò)安全法》等法律法(fǎ)规(guī)，我(wǒ)国内关键信息基础设施的(de)运营者应停止采购美光公司产品。

　　此次对美光公(gōng)司产品进行网络安全审(shěn)查，目的(de)是(shì)防范产品网络安全问题危害国家(jiā)关键信息基础设施安全，是维护(hù)国家(jiā)安(ān)全的必要措施。中国(guó)坚定推进高水平对外(wài)开放，只要遵守(shǒu)中(zhōng)国法律(lǜ)法(fǎ)规要(yào)求，欢迎各国企业、各类(lèi)平(píng)台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文(wén)称(chēng)，为保障(zhàng)关键信(xìn)息基(jī)础(chǔ)设施供应链安全，防范产品问题(tí)隐(yǐn)患造成网络安全风(fēng)险，维护国家安(ān)全，依据《中(zhōng)华人民共和国国家安全法》《中华(huá)人民(mín)共和国网(wǎng)络安全法》，网络(luò)安全审查(chá)办公室(shì)按(àn)照《网络安全审查办(bàn)法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售的产品实施(shī)网(wǎng)络(luò)安全审查。

　　美光是美国(guó)的存储芯片行业龙头，也是(shì)全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市(shì)场(chǎng)收(shōu)入从此前(qián)高(gāo)峰57％降至2022年(nián)约11％。根(gēn)据市场咨询(xún)机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额(é)约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中(zhōng)，江波(bō)龙(lóng)、佰维存(cún)储等公(gōng)司披露过美(měi)光等国际存储(chǔ)厂商为公(gōng)司供应(yīng)商。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比已经(jīng)显著下降，至少已经不是主(zhǔ)要大供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光(guāng)位列江波(bō)龙(lóng)第一大存(cún)储晶(jīng)圆供应商，采购约31亿元(yuán)，占比(bǐ)33.52％；2022年，江(jiāng)波(bō)龙第一大、第二(èr)大和外面黑里面粉会介意吗，为啥我对象外面黑的里面发红第三大供应商采购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储(chǔ)产业(yè)链上下(xià)游建(jiàn)立国内外广泛合作。2022年年(nián)报显示，江波龙与三星、美光、西部数据等主要存储(chǔ)晶圆原厂签署了长期合约，确保存储晶圆供(gōng)应的(de)稳定性，巩固公司在下游市(shì)场的供应(yīng)优势，公司也(yě)与国(guó)内国产存(cún)储(chǔ)晶(jīng)圆原(yuán)厂武汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好(hǎo)的(de)合作。

　　有券(quàn)商(shāng)此前就分析，如果美(měi)光在中(zhōng)国区销售受到限制(zhì)，或将导致(zhì)下游(yóu)客户转而采(cǎi)购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存(cún)储等竞对产品

　　分析(xī)称，长外面黑里面粉会介意吗，为啥我对象外面黑的里面发红存(cún)、长鑫(xīn)的上(shàng)游设备厂(chǎng)或从中(zhōng)受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外(wà外面黑里面粉会介意吗，为啥我对象外面黑的里面发红i)NAND Flash现(xiàn)在已经(jīng)进入3D NAND时(shí)代(dài)，2 维到3维的结构转变(biàn)使刻蚀和薄(báo)膜成为最关键、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同时(shí)刻(kè)蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者(zhě)沟(gōu)槽，催生更多设备需求。据(jù)东京电子披露(lù)，薄膜沉积设(shè)备及刻(kè)蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合(hé)计(jì)为75％。自长江存储被加(jiā)入美国限(xiàn)制名单，设(shè)备国产化进程(chéng)加速(sù)，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉积）等相关(guān)公司份额提升(shēng)，以及存储(chǔ)业务占比较高(gāo)的华(huá)海清(qīng)科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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