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　　美(měi)光公司(sī)在华(huá)销售(shòu)的产品未通过(guò)网络安(ān)全审查

　　据(jù)网信办(bàn)消息(xī)，日前，网络安全审查办公室依法对美(měi)光公司在(zài)华(huá)销售(shòu)产品进行了网络安全审查(chá)。

　　审(shěn)查(chá)发(fā)现，美光公司产品存在较严重网络安全问题隐患，对(duì)我国关键信息基础(chǔ)设(s偷吃别人的屎犯法吗，偷吃别人的屎违法吗hè)施供应链造成重大(dà)安全(quán)风险，影响(xiǎng)我(wǒ)国国家安全。为(wèi)此，网络安全(quán)审查办公(gōng)室依法作(zuò)出不予通过(guò)网络安(ān)全审查的(de)结论。按照《网(wǎng)络安全法》等法律法(fǎ)规，我国内(nèi)关键信息基础(chǔ)设施的运营(yíng)者应停(tíng)止采(cǎi)购美(měi)光公(gōng)司产品。

　　此次对美光(guāng)公司(sī)产品进行网络安全审(shěn)查(chá)，目的是防范产品网络安全问(wèn)题危害国家关键信息基础设施安全，是维护国家安全(quán)的必要措施。中(zhōng)国坚定推(tuī)进高水平对外(wài)开(kāi)放，只要遵(zūn)守中(zhōng)国法律(lǜ)法规要求，欢迎各国企业、各类平台(tái)产品服务(wù)进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文称(chēng)，为保(bǎo)障关键信息基(jī)础设(shè)施供(gōng)应链(liàn)安(ān)全，防范产品问题隐患(huàn)造成网(wǎng)络安全风(fēng)险，维护国家安(ān)全，依据《中华(huá)人民共和国国(guó)家(jiā)安全法》《中华人(rén)民共(gòng)和国网络安全法》，网(wǎng)络安全(quán)审查办(bàn)公室按照《网络安全审查办法》，对美(měi)光公司(sī)（Micron）在华销售的产(chǎn)品实(shí)施网络安全审(shěn)查。

　　美光是美国(guó)的存储芯片行业龙(lóng)头，也是全(quán)球(qiú)存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场(chǎng)收(shōu)入从此前高峰(fēng)57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨(zī)询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中(zhōng)，江波(bō)龙、佰维存储等(děng)公司披(pī)露过美光等国际存储厂商为(wèi)公司供(gōng)应(yīng)商(shāng)。

　　美光在(zài)江波(bō)龙(lóng)采(cǎi)购占比已经显著下降，至(zhì)少已经不是主要(yào)大(dà)供应商。

　　公(gōng)告显示(shì)， 2021年美光位(wèi)列江波龙第(dì)一大存储晶圆供应商，采购约31亿(yì)元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江(jiāng)波龙(lóng)第(dì)一(yī)大、第二大和第(dì)三(sān)大(dà)供应商采(cǎi)购金(jīn)额占(zhàn)比分(fēn)别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在(zài)存储产业链上下游建立(lì)国内外广泛合作。2022年年报(bào)显示，江波龙与三星、美(měi)光、西部数据等主要存(cún)储晶(jīng)圆原(yuán)厂签署了长期合约，确保(bǎo)存储晶圆(yuán)供应的稳(wěn)定(dìng)性，巩(gǒng)固公司(sī)在下游市场(chǎng)的供应优势，公司也与国内(nèi)国产存储晶圆(yuán)原厂武汉长江存(cún)储、合肥长鑫保(bǎo)持良好(hǎo)的合作。

　　有(yǒu)券(quàn)商此前就分析，如(rú)果美光在中国区销售受到限制(zhì)，或将导致(zhì)下游客户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力士，国内长江(jiāng)存储、长鑫存储等(děng)竞(jìng)对产品(pǐn)

　　分析称(chēng)，长存(cún)、长鑫(xīn)的(de)上游(yóu)设备厂或从(cóng)中(zhōng)受益。存储器的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使(shǐ)刻蚀和薄(báo)膜成为最(zuì)关(guān)键、最(zuì)大(dà)量的加工(gōng)设(shè)备。3D NAND每层均需(xū)要经(jīng)过薄(báo)膜沉积工艺步(bù)骤，同时刻蚀目(mù)前(qián)前沿要刻到 60：1的(de)深孔(kǒng)，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生更多设(shè)备需求。据东(dōng)京(jīng)电子披露偷吃别人的屎犯法吗，偷吃别人的屎违法吗，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开(kāi)支(zhī)合计为75％。自长江存(cún)储被加入(rù)美国限制名(míng)单，设备国产化(huà)进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等相关公司份额提升，以及存储业(yè)务(wù)占比较高(gāo)的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增(zēng)长。

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