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中戏明星有哪些明星,中戏明星有哪些名单 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看一则突发消息(xī)。

  美光公司在华销(xiāo)售的产品未(wèi)通过网络安(ān)全审查

  据网信办消(xiāo)息,日前,网(wǎng)络(luò)安(ān)全(quán)审查办公室依法对美光公(gōng)司(sī)在(zài)华销售产品(pǐn)进行了网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查。中戏明星有哪些明星,中戏明星有哪些名单

  审查发(fā)现,美光公司产品存在较严重网络安全问(wèn)题隐患,对我国(guó)关(guān)键信息基础设施(shī)供应链造成(chéng)重(zhòng)大(dà)安(ān)全(quán)风险,影(yǐng)响我国国家安全(quán)。为此(cǐ),网络安全审查(chá)办公室依法作出(chū)不予(yǔ)通过网络安全审(shěn)查(chá)的结(jié)论。按照《网络(luò)安全法》等法律法规,我国内关键信息基础(chǔ)设施的运营(yíng)者应(yīng)停(tíng)止采购美光公司产品。

  此次对(duì)美光公司产品进行网络安全审查,目的是防范(fàn)产品(pǐn)网(wǎng)络安全问(wèn)题(tí)危害国(guó)家关键信息基础(chǔ)设施(shī)安全,是维(wéi)护国家安全的必要措(cuò)施。中国坚定推进(jìn)高水平对外开放,只要遵守中国法(fǎ)律法规要求(qiú),欢迎各国(guó)企业、各类(lèi)平台产品(pǐn)服务进(jìn)入中国市(shì)场。

  半(bàn)导体突(tū)发!中国出手:停止(zhǐ)采购!

  3月31日,中国(guó)中戏明星有哪些明星,中戏明星有哪些名单网信网发文(wén)称,为保障关键信息基础设施供(gōng)应链安(ān)全,防范产品问(wèn)题隐患造成(chéng)网(wǎng)络(luò)安(ān)全风险,维护国家安全,依据《中华人(rén)民共(gòng)和国国家安全(quán)法》《中华(huá)人民共和国(guó)网络安全法》,网络(luò)安全审(shěn)查办公(gōng)室按(àn)照《网(wǎng)络安全审查办法》,对美光公(gōng)司(Micron)在华(huá)销售的(de)产品实施网络(luò)安(ān)全审查。

  半(bàn)导体(tǐ)突发!中国出手:停止采购!

  美光是美(měi)国的(de)存储芯片(piàn)行(xíng)业龙(lóng)头,也(yě)是全球存储芯(xīn)片巨(jù)头之(zhī)一,2022年收入来自中国市场收入(rù)从此前高峰57%降至2022年约11%。根据市场咨(zī)询(xún)机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪(shǎn)存)市场(chǎng)份额约为 96.76%,三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM (内存)市场份额约为(wèi) 94.35%。

  A股上(shàng)市公司中,江波龙(lóng)、佰维存储等公司披露过美光等国际存储厂商(shāng)为公司供应商。

  美光在江波龙采购(gòu)占(zhàn)比已经(jīng)显著下降,至少已(yǐ)经不是主要大供应(yīng)商(shāng)。

  公告(gào)显(xiǎn)示, 2021年美光位列江(jiāng)波龙第一大存储晶圆供应商,采购(gòu)约31亿元(yuán),占(zhàn)比33.52%;2022年,江波龙第(dì)一大、第二大和第三大供应(yīng)商采购金额(é)占比分别(bié)是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙已经在存储(chǔ)产业链上下游建(jiàn)立国内外广泛合作(zuò)。2022年年报显示,江波龙与三星(xīng)、美光(guāng)、西部数据等主(zhǔ)要存储晶圆(yuán)原厂签(qiān)署了(le)长期合约,确保(bǎo)存储(chǔ)晶圆供应的稳定(dìng)性(xìng),巩固公司(sī)在下游市场的(de)供应优势,公司也与(yǔ)国内(nèi)国产存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂武汉长(zhǎng)江存储、合(hé)肥长鑫保持良(liáng)好的合作(zuò)。

  有券商此前就分析,如果美(měi)光在中国区(qū)销售受到限制(zhì),或将导(dǎo)致(zhì)下游客户转(zhuǎn)而采购国外(wài)三星、 SK海力士,国内(nèi)长江存储、长鑫存储(chǔ)等竞对产品

  分析称,长存、长鑫的上游设(shè)备厂或从中受(shòu)益。存储器的生产已经(jīng)演进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代,2 维到(dào)3维的(de)结构(gòu)转变(biàn)使刻蚀和薄膜成为最(zuì)关键、最大量的加工(gōng)设备(bèi)。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜沉积工艺步(bù)骤,同(tóng)时刻蚀(shí)目前前沿要刻(kè)到 60:1的深孔(kǒng),未(wèi)来可能会更深的孔(kǒng)或者沟槽(cáo),催(cuī)生(shēng)更多设备需求。据东京电子披露(lù),薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为(wèi)75%。自(zì)长江存储被加入美国(guó)限制名单,设备国产化(huà)进程加速,看好拓荆(jīng)科技(薄(báo)膜沉积(jī))等相关公司份额提升,以及存储业务(wù)占(zhàn)比较高的华海清(qīng)科(CMP)、盛美(měi)上海(清洗)等(děng)收入增(zēng)长。

 

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